收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRLML5203GTRPBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRLML5203GTRPBF

International Rectifier TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 9794
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23-3
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与IRLML5203GTRPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRLML5203TRPBF International Rectifier TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 18000 MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLML6244TRPBF International Rectifier TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 9321 MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT-23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLML6246TRPBF International Rectifier TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 6000 MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT-23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLML5103TRPBF International Rectifier TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 78000 MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLML5103TR International Rectifier TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLML5103GTRPBF International Rectifier TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 6000 MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRLML5203GTRPBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):98 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):510pF @ 25V
功率 - 最大值:1.25W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别