收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRLML0100TRPBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRLML0100TRPBF

International Rectifier TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 9000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23-3
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRLML0100TRPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRLML2030TRPBF International Rectifier TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 30000 MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLML2060TRPBF International Rectifier TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3000 MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLML2244TRPBF International Rectifier TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 6000 MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLML0060TRPBF International Rectifier TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 143000 MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLML0040TRPBF International Rectifier TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 10225 MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT-23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLML0030TRPBF International Rectifier TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 6000 MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRLML0100TRPBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):220 毫欧 @ 1.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):290pF @ 25V
功率 - 最大值:1.3W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别