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IRLM220ATF

Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA
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简述:MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

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IRLM220ATF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.13A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):800 毫欧 @ 570mA,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):430pF @ 25V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装

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