收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRLL3303PBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRLL3303PBF

International Rectifier TO-261-4,TO-261AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
参考包装数量:80
参考包装形式:管件

与IRLL3303PBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRLL3303TR International Rectifier TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLL3303TRPBF International Rectifier TO-261-4,TO-261AA 18857 MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLM110ATF Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRLL3303 International Rectifier TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLL2705TRPBF International Rectifier TO-261-4,TO-261AA 37500 MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLL2705TR International Rectifier TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRLL3303PBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):31 毫欧 @ 4.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):50nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):840pF @ 25V
功率 - 最大值:1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别