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IRLI640GPBF

Vishay Siliconix TO-220-3 全封装,隔离接片 3587
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简述:MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP
参考包装数量:1000
参考包装形式:管件

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IRLI640GPBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9.9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):180 毫欧 @ 5.9A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):66nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1800pF @ 25V
功率 - 最大值:40W
安装类型:通孔

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