收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRLI540N
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRLI540N

International Rectifier TO-220-3 整包
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IRLI540N相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRLI540NPBF International Rectifier TO-220-3 整包 6950 MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLI610ATU Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRLI620G Vishay Siliconix TO-220-3 全封装,隔离接片 MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLI540GPBF Vishay Siliconix TO-220-3 全封装,隔离接片 MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRLI540G Vishay Siliconix TO-220-3 全封装,隔离接片 MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRLI530NPBF International Rectifier TO-220-3 整包 947 MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRLI540N参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):23A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):44 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):74nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1800pF @ 25V
功率 - 最大值:54W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别