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IRLHS6376TR2PBF

International Rectifier 6-VDFN 裸露焊盘
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简述:MOSFET N-CH 30V 3.4A DUAL PQFN
参考包装数量:400
参考包装形式:带卷 (TR)

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IRLHS6376TR2PBF参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:63 毫欧 @ 3.4A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.1V @ 10µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:2.8nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:270pF @ 25V
功率 - 最大:1.5W
安装类型:表面贴装

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