收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRLB3813PBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRLB3813PBF

International Rectifier TO-220-3 5038
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 260A TO-220AB
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IRLB3813PBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRLB4030PBF International Rectifier TO-220-3 2948 MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLB8721PBF International Rectifier TO-220-3 9867 MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRLB8743PBF International Rectifier TO-220-3 2396 MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLB3036PBF International Rectifier TO-220-3 1256 MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLB3036GPBF International Rectifier TO-220-3 50 MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLB3034PBF International Rectifier TO-220-3 4013 MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRLB3813PBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):260A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.95 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):86nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8420pF @ 15V
功率 - 最大值:230W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别