收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRL8113STRL
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRL8113STRL

International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
参考包装数量:800
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRL8113STRL相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRL8113STRLPBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 800 MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRL8113STRR International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRL8113STRRPBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRL8113SPBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRL8113S International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRL8113PBF International Rectifier TO-220-3 1038 MOSFET N-CH 30V 105A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRL8113STRL参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):105A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 21A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.25V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):35nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2840pF @ 15V
功率 - 最大值:110W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别