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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRL620S
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IRL620S

Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
参考包装数量:1000
参考包装形式:管件

与IRL620S相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRL620SPBF Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 890 MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRL620STRL Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRL620STRLPBF Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRL620PBF Vishay Siliconix TO-220-3 2867 MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRL620 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRL610A Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRL620S参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):800 毫欧 @ 3.1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):16nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):360pF @ 25V
功率 - 最大值:3.1W
安装类型:表面贴装

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