收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > IRGSL4B60KD1PBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRGSL4B60KD1PBF

International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
询价QQ:
简述:IGBT W/DIODE 600V 11A TO262
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IRGSL4B60KD1PBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRGSL6B60KDPBF International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA IGBT W/DIODE 600V 13A TO262 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...
IRGSL6B60KPBF International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA IGBT N-CH 600V 13A TO-262 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...
IRL1004 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRGSL4062DPBF International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 1500 IGBT 600V 24A COPACK TO-262 IGBT 类型:沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I...
IRGSL30B60KPBF International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA IGBT ULTRA FAST 600V 75A TO-262 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...
IRGSL14C40LPBF International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 402 IGBT IGNITION 430V 20A TO-262AA IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):430V Vge, Ic...

IRGSL4B60KD1PBF参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.5V @ 15V,4A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):11A
功率 - 最大:63W
输入类型:标准
安装类型:通孔

最近更新

型号类别