收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRFZ24N,127
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRFZ24N,127

NXP Semiconductors TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IRFZ24N,127相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFZ24NL International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 55V 17A TO-262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFZ24NLPBF International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 372 MOSFET N-CH 55V 17A TO-262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFZ24NPBF International Rectifier TO-220-3 3508 MOSFET N-CH 55V 17A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFZ24L Vishay Siliconix TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 60V 17A TO-262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFZ24 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFZ20PBF Vishay Siliconix TO-220-3 7109 MOSFET N-CH 50V 15A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRFZ24N,127参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):17A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):70 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):19nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):500pF @ 25V
功率 - 最大值:45W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别