收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRFU214
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRFU214

Vishay Siliconix TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 250V 2.2A I-PAK
参考包装数量:3000
参考包装形式:管件

与IRFU214相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFU214BTU_FP001 Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 250V 2.2A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFU214PBF Vishay Siliconix TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 250V 2.2A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFU220_R4941 Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 200V 4.6A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFU210PBF Vishay Siliconix TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 2976 MOSFET N-CH 200V 2.6A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFU210 Vishay Siliconix TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 200V 2.6A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFU1N60APBF Vishay Siliconix TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 2769 MOSFET N-CH 600V 1.4A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRFU214参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):250V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2 欧姆 @ 1.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):8.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):140pF @ 25V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别