收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRFU120PBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRFU120PBF

Vishay Siliconix TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 1092
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK
参考包装数量:3000
参考包装形式:管件

与IRFU120PBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFU120Z International Rectifier TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFU120ZPBF International Rectifier TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB 1456 MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFU12N25D International Rectifier TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 250V 14A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFU120NPBF International Rectifier TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB 8725 MOSFET N-CH 100V 9.4A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFU120ATU Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFU1205PBF International Rectifier TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB 503 MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRFU120PBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):270 毫欧 @ 4.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):360pF @ 25V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别