收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRFSL3006PBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRFSL3006PBF

International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 2448
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 195A TO262
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IRFSL3006PBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFSL3107PBF International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 1402 MOSFET N-CH 75V 195A TO262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFSL31N20D International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 200V 31A TO-262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFSL31N20DTRL Vishay Siliconix TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 200V 31A TO-262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFSL3004PBF International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 550 MOSFET N-CH 40V 195A TO262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFSL23N20D102P International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 200V 24A TO-262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFSL23N20D International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 200V 24A TO-262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRFSL3006PBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):195A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.5 毫欧 @ 170A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):300nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8970pF @ 50V
功率 - 最大值:375W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别