收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRFS4610PBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRFS4610PBF

International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IRFS4610PBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFS4610TRLPBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 800 MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFS4610TRRPBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFS4615PBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 150V 33A D2-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFS4610 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFS4510TRLPBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 800 MOSFET N CH 100V D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFS4510PBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 490 MOSFET N CH 100V D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRFS4610PBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):73A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):14 毫欧 @ 44A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):140nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3550pF @ 50V
功率 - 最大值:190W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别