收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRFS3607PBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRFS3607PBF

International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IRFS3607PBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFS3607TRLPBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 3200 MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFS3806PBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFS3806TRLPBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 10400 MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFS350A Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 400V 11.5A TO-3PF FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFS3507TRLPBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFS3507 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRFS3607PBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):75V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):80A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):9 毫欧 @ 46A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):84nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3070pF @ 50V
功率 - 最大值:140W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别