收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRFS3307
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRFS3307

International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 75V 130A D2PAK
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IRFS3307相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFS3307PBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFS3307TRLPBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 800 MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFS3307ZPBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 1798 MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFS3306TRLPBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 6229 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFS3306PBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 13869 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFS3207ZTRRPBF International Rectifier MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK ...

IRFS3307参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):75V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):130A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6.3 毫欧 @ 75A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):180nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5150pF @ 50V
功率 - 最大值:250W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别