收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRFS31N20DTRR
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRFS31N20DTRR

International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
参考包装数量:800
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRFS31N20DTRR相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFS31N20DTRRP International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFS3206PBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 763 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFS3206TRRPBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 4800 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFS31N20DTRLP International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFS31N20DTRL International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFS31N20DPBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 150 MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRFS31N20DTRR参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):31A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):82 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):110nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2370pF @ 25V
功率 - 最大值:3.1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别