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IRFR9120NTRPBF

International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 37416
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简述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
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与IRFR9120NTRPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFR9120NTRR International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFR9120PBF Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2258 MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFR9120TR Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFR9120NTRLPBF International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFR9120NTRL International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFR9120NPBF International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRFR9120NTRPBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):480 毫欧 @ 3.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):350pF @ 25V
功率 - 最大值:40W
安装类型:表面贴装

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