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IRFR9020

Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
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简述:MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
参考包装数量:3000
参考包装形式:管件

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFR9020PBF Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2968 MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFR9020TR Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFR9020TRL Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFR9014TRR Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFR9014TRPBF Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 6000 MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFR9014TRLPBF Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRFR9020参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):50V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9.9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):280 毫欧 @ 5.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):490pF @ 25V
功率 - 最大值:42W
安装类型:表面贴装

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