收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRFR6215TR
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRFR6215TR

International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
参考包装数量:2000
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRFR6215TR相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFR6215TRL International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 150V 13A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFR6215TRLPBF International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 150V 13A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFR6215TRPBF International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2000 MOSFET P-CH 150V 13A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFR6215PBF International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 150V 13A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFR6215CPBF International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 150V 13A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFR5505TRR International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 55V 18A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRFR6215TR参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):150V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):13A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):295 毫欧 @ 6.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):66nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):860pF @ 25V
功率 - 最大值:110W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别