收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRFR5305CPBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRFR5305CPBF

International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
参考包装数量:75
参考包装形式:管件

与IRFR5305CPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFR5305PBF International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 529 MOSFET P-CH 55V 31A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFR5305TRL International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 55V 31A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFR5305TRLPBF International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 55V 31A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFR48ZTRPBF International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 55V 42A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFR48ZTRLPBF International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 55V 42A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFR48ZPBF International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 55V 42A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRFR5305CPBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):31A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):65 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):63nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1200pF @ 25V
功率 - 最大值:110W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别