收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRFR3708TRPBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRFR3708TRPBF

International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 6969
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
参考包装数量:1
参考包装形式:

与IRFR3708TRPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFR3708TRR International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 61A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFR3708TRRPBF International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 61A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFR3709Z International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 86A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFR3708TRLPBF International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 61A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFR3708TRL International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 61A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFR3708TR International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 61A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRFR3708TRPBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):61A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):12.5 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):24nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2417pF @ 15V
功率 - 最大值:87W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别