| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IRFR210PBF |
Vishay Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2844 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK 参考包装数量：3000 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IRFR210TR | Vishay Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IRFR210TRL | Vishay Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IRFR210TRLPBF | Vishay Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2800 | MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IRFR210BTM_FP001 | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IRFR210 | Vishay Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IRFR1N60ATRRPBF | Vishay Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
