收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRFM220BTF_FP001
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRFM220BTF_FP001

Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRFM220BTF_FP001相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFML8244TRPBF International Rectifier TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 57000 MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFN214BTA_FP001 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET N-CH 250V 0.6A TO-92 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFNL210BTA_FP001 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 长体 MOSFET N-CH 200V 1A TO-92L FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFM210BTF_FP001 Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 200V 0.77A SOT-223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFM120ATF Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA 18051 MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFL9110TRPBF Vishay Siliconix TO-261-4,TO-261AA 7500 MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRFM220BTF_FP001参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.13A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):800 毫欧 @ 570mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):390pF @ 25V
功率 - 最大值:2.4W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别