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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRFL210TR
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IRFL210TR

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简述:MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRFL210TR相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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IRFL214 Vishay Siliconix TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
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IRFL110TRPBF Vishay Siliconix TO-261-4,TO-261AA 75000 MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRFL210TR参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):960mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.5 欧姆 @ 580mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):8.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):140pF @ 25V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装

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