收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRFL014NPBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRFL014NPBF

International Rectifier TO-261-4,TO-261AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
参考包装数量:80
参考包装形式:管件

与IRFL014NPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFL014NTRPBF International Rectifier TO-261-4,TO-261AA 5000 MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFL014PBF Vishay Siliconix TO-261-4,TO-261AA 3974 MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFL014TR Vishay Siliconix TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFL014 Vishay Siliconix TO-261-4,TO-261AA 4033 MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFIZ48VPBF International Rectifier TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 60V 39A TO220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFIZ48NPBF International Rectifier TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRFL014NPBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):160 毫欧 @ 1.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):190pF @ 25V
功率 - 最大值:1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别