收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRFIZ14G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRFIZ14G

Vishay Siliconix TO-220-3 全封装,隔离接片
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP
参考包装数量:1000
参考包装形式:管件

与IRFIZ14G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFIZ14GPBF Vishay Siliconix TO-220-3 全封装,隔离接片 8633 MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFIZ24E International Rectifier TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFIZ24EPBF International Rectifier TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFIBG20G Vishay Siliconix TO-220-3 全封装,隔离接片 MOSFET N-CH 1000V TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFIBF30GPBF Vishay Siliconix TO-220-3 全封装,隔离接片 3821 MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFIBF30G Vishay Siliconix TO-220-3 全封装,隔离接片 MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRFIZ14G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):200 毫欧 @ 4.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):300pF @ 25V
功率 - 最大值:27W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别