收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRFI9634G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRFI9634G

Vishay Siliconix TO-220-3 全封装,隔离接片
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220FP
参考包装数量:1000
参考包装形式:管件

与IRFI9634G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFI9634GPBF Vishay Siliconix TO-220-3 全封装,隔离接片 966 MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220FP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFI9640G Vishay Siliconix TO-220-3 全封装,隔离接片 MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220FP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFI9640GPBF Vishay Siliconix TO-220-3 全封装,隔离接片 836 MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220FP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFI9630GPBF Vishay Siliconix TO-220-3 全封装,隔离接片 MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220FP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFI9630G Vishay Siliconix TO-220-3 全封装,隔离接片 MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220FP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFI9620GPBF Vishay Siliconix TO-220-3 全封装,隔离接片 MOSFET P-CH 200V 3A TO220FP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRFI9634G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):250V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1 欧姆 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):680pF @ 25V
功率 - 最大值:35W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别