收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRFI530GPBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRFI530GPBF

Vishay Siliconix TO-220-3 全封装,隔离接片
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP
参考包装数量:1000
参考包装形式:管件

与IRFI530GPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFI530N International Rectifier TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFI530NPBF International Rectifier TO-220-3 整包 3578 MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFI540G Vishay Siliconix TO-220-3 全封装,隔离接片 MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFI530G Vishay Siliconix TO-220-3 全封装,隔离接片 MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFI520N International Rectifier TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFI520GPBF Vishay Siliconix TO-220-3 全封装,隔离接片 MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRFI530GPBF参数资料


FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):160 毫欧 @ 5.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):33nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):670pF @ 25V
功率 - 最大值:42W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别