收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRFH8334TRPBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRFH8334TRPBF

International Rectifier 8-PowerTDFN
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 44A 5X6 PQFN
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRFH8334TRPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFH8337TR2PBF International Rectifier 8-PowerTDFN 800 MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFH8337TRPBF International Rectifier 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFH9310TR2PBF International Rectifier 8-PowerVDFN MOSFET P-CH 30V 21A PQFN FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFH8334TR2PBF International Rectifier 8-PowerTDFN 800 MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFH8330TRPBF International Rectifier 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 56A 5X6 PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFH8330TR2PBF International Rectifier 8-PowerTDFN 800 MOSFET N-CH 30V 14A 5X6 PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRFH8334TRPBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):14A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):9 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1180pF @ 10V
功率 - 最大值:3.2W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别