收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRFH8325TR2PBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRFH8325TR2PBF

International Rectifier 8-PowerTDFN 800
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 17A 5X6 PQFN
参考包装数量:400
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRFH8325TR2PBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFH8325TRPBF International Rectifier 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFH8330TR2PBF International Rectifier 8-PowerTDFN 800 MOSFET N-CH 30V 14A 5X6 PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFH8330TRPBF International Rectifier 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 56A 5X6 PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFH8324TRPBF International Rectifier 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 90A 5X6 PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFH8324TR2PBF International Rectifier 8-PowerTDFN 2400 MOSFET N-CH 30V 18A 5X6 PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFH8318TRPBF International Rectifier 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRFH8325TR2PBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):21A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):32nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2487pF @ 10V
功率 - 最大值:3.6W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别