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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRFH5250DTRPBF
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IRFH5250DTRPBF

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简述:MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRFH5250DTRPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFH5250TR2PBF International Rectifier 8-VQFN 3963 MOSFET N-CH 25V 45A PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFH5250TRPBF International Rectifier 8-VQFN MOSFET N-CH 25V 45A PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFH5255TR2PBF International Rectifier 8-VQFN MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFH5250DTR2PBF International Rectifier 8-VQFN 1200 MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFH5220TRPBF International Rectifier 8-VQFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFH5220TR2PBF International Rectifier 8-VQFN 裸露焊盘 400 MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRFH5250DTRPBF参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):40A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):83nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6115pF @ 13V
功率 - 最大值:3.6W
安装类型:表面贴装

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