收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRFH5210TR2PBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRFH5210TR2PBF

International Rectifier 8-PowerVQFN 800
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN
参考包装数量:400
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRFH5210TR2PBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFH5210TRPBF International Rectifier 8-PowerVQFN MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFH5215TR2PBF International Rectifier 8-VQFN 裸露焊盘 800 MOSFET N-CH 150V 5.0A PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFH5215TRPBF International Rectifier 8-VQFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 150V 5A PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFH5207TRPBF International Rectifier 8-PowerVQFN MOSFET N-CH 75V 13A 8-PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFH5207TR2PBF International Rectifier 8-PowerVQFN 400 MOSFET N-CH 75V 5X6 PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFH5206TRPBF International Rectifier 8-PowerVQFN MOSFET N-CH 60V 87A 8-PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRFH5210TR2PBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):10A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):14.9 毫欧 @ 33A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):59nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2570pF @ 25V
功率 - 最大值:3.6W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别