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IRFD9113

Vishay Siliconix 4-DIP(0.300",7.62mm)
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简述:MOSFET P-CH 60V 600MA 4-DIP
参考包装数量:2500
参考包装形式:管件

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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IRFD9113参数资料


FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):600mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 300mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15nC @ 15V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):250pF @ 25V
功率 - 最大值:1W
安装类型:通孔

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