型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IRFD220 |
Vishay Siliconix | 4-DIP(0.300",7.62mm) | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP 参考包装数量:2500 参考包装形式:管件 |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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IRFD220PBF | Vishay Siliconix | 4-DIP(0.300",7.62mm) | 1988 | MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
IRFD224 | Vishay Siliconix | 4-DIP(0.300",7.62mm) | MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IRFD224PBF | Vishay Siliconix | 4-DIP(0.300",7.62mm) | 1824 | MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
IRFD214PBF | Vishay Siliconix | 4-DIP(0.300",7.62mm) | MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IRFD214 | Vishay Siliconix | 4-DIP(0.300",7.62mm) | MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IRFD210PBF | Vishay Siliconix | 4-DIP(0.300",7.62mm) | 3996 | MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |