型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IRFD110PBF |
Vishay Siliconix | 4-DIP(0.300",7.62mm) | 15667 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP 参考包装数量:2500 参考包装形式:管件 |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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IRFD120 | Vishay Siliconix | 4-DIP(0.300",7.62mm) | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IRFD120PBF | Vishay Siliconix | 4-DIP(0.300",7.62mm) | 5102 | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
IRFD123PBF | Vishay Siliconix | 4-DIP(0.300",7.62mm) | 3427 | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
IRFD110 | Vishay Siliconix | 4-DIP(0.300",7.62mm) | MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IRFD024PBF | Vishay Siliconix | 4-DIP(0.300",7.62mm) | 7224 | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
IRFD024 | Vishay Siliconix | 4-DIP(0.300",7.62mm) | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |