| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IRFBG30 |
Vishay Siliconix | TO-220-3 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB 参考包装数量：1000 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IRFBG30PBF | Vishay Siliconix | TO-220-3 | 715 | MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IRFD010 | Vishay Siliconix | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IRFD010PBF | Vishay Siliconix | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IRFBG20PBF | Vishay Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IRFBG20L | Vishay Siliconix | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-262 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IRFBG20 | Vishay Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
