| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IRFBE30STRR |
Vishay Siliconix | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK 参考包装数量：800 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IRFBF20 | Vishay Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IRFBF20L | Vishay Siliconix | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA | MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IRFBF20LPBF | Vishay Siliconix | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA | 1000 | MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IRFBE30STRLPBF | Vishay Siliconix | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IRFBE30STRL | Vishay Siliconix | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IRFBE30SPBF | Vishay Siliconix | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 3578 | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
