收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRFBA22N50APBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRFBA22N50APBF

Vishay Siliconix Super-220?
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 24A SUPER-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IRFBA22N50APBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFBA90N20DPBF International Rectifier Super-220?-3(直引线) 322 MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFBC20 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFBC20L Vishay Siliconix TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFBA1405PPBF International Rectifier Super-220?-3(直引线) 344 MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFBA1405P International Rectifier Super-220?-3(直引线) MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFBA1404PPBF International Rectifier Super-220?-3(直引线) 348 MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRFBA22N50APBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):24A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):230 毫欧 @ 13.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):115nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3400pF @ 25V
功率 - 最大值:340W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别