收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRFB4410ZPBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRFB4410ZPBF

International Rectifier TO-220-3 6292
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IRFB4410ZPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFB4510PBF International Rectifier TO-220-3 270 MOSFET N CH 100V 62A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFB4610 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 73A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFB4610PBF International Rectifier TO-220-3 19 MOSFET N-CH 100V 73A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFB4410ZGPBF International Rectifier TO-220-3 724 MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFB4410PBF International Rectifier TO-220-3 6778 MOSFET N-CH 100V 96A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFB4410 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 96A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRFB4410ZPBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):97A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):9 毫欧 @ 58A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):120nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4820pF @ 50V
功率 - 最大值:230W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别