收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRFB4321GPBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRFB4321GPBF

International Rectifier TO-220-3 4600
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IRFB4321GPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFB4321PBF International Rectifier TO-220-3 2196 MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFB4332PBF International Rectifier TO-220-3 395 MOSFET N-CH 250V 60A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFB4410 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 96A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFB4310ZPBF International Rectifier TO-220-3 746 MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFB4310ZGPBF International Rectifier TO-220-3 62 MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFB4310PBF International Rectifier TO-220-3 3868 MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRFB4321GPBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):150V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):83A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 33A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):110nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4460pF @ 25V
功率 - 最大值:330W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别