收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRFB3207ZGPBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRFB3207ZGPBF

International Rectifier TO-220-3 1066
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IRFB3207ZGPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFB3207ZPBF International Rectifier TO-220-3 792 MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFB3306GPBF International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 160A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFB3306PBF International Rectifier TO-220-3 3916 MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRFB3207PBF International Rectifier TO-220-3 1513 MOSFET N-CH 75V 180A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFB3206PBF International Rectifier TO-220-3 3644 MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFB3206GPBF International Rectifier TO-220-3 652 MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRFB3207ZGPBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):75V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):120A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4.1 毫欧 @ 75A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):170nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6920pF @ 50V
功率 - 最大值:300W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别