收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRF9Z20
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRF9Z20

Vishay Siliconix TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB
参考包装数量:1000
参考包装形式:管件

与IRF9Z20相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF9Z20PBF Vishay Siliconix TO-220-3 972 MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF9Z24 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET P-CH 60V 11A TO-220AB FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF9Z24NL International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET P-CH 55V 12A TO-262 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF9Z14STRR Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF9Z14STRLPBF Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF9Z14STRL Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRF9Z20参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):50V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):280 毫欧 @ 5.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):26nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):480pF @ 25V
功率 - 最大值:40W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别