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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRF9Z14SPBF
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IRF9Z14SPBF

Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 931 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
参考包装数量:1000
参考包装形式:管件

与IRF9Z14SPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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IRF9Z14STRLPBF Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF9Z14STRR Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF9Z14S Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
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IRF9Z14LPBF Vishay Siliconix TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 1000 MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRF9Z14SPBF参数资料

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FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):500 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):270pF @ 25V
功率 - 最大值:3.7W
安装类型:表面贴装

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