型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IRF9Z10PBF |
Vishay Siliconix | TO-220-3 | 2505 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB 参考包装数量:1000 参考包装形式:管件 |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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IRF9Z14 | Vishay Siliconix | TO-220-3 | MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-220AB | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IRF9Z14L | Vishay Siliconix | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IRF9Z14LPBF | Vishay Siliconix | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | 1000 | MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
IRF9Z10 | Vishay Siliconix | TO-220-3 | MOSFET P-CH 50V 6.7A TO-220AB | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IRF9956TRPBF | International Rectifier | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
IRF9956TR | International Rectifier | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |