收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRF9530L
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRF9530L

Vishay Siliconix TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 100V 12A TO-262
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IRF9530L相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF9530NL International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET P-CH 100V 14A TO-262 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF9530NPBF International Rectifier TO-220-3 2709 MOSFET P-CH 100V 14A TO-220AB FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF9530NS International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF9530 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET P-CH 100V 12A TO-220AB FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF9520STRRPBF Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF9520STRR Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRF9530L参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):12A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):300 毫欧 @ 7.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):860pF @ 25V
功率 - 最大值:3.7W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别