收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > IRF9362PBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRF9362PBF

International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH DUAL 30V 8.0A SO-8
参考包装数量:95
参考包装形式:管件

与IRF9362PBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF9362TRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 20000 MOSFET P-CH DUAL 30V 8A 8-SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
IRF9383MTR1PBF International Rectifier * MOSF P CH 30V 22A DIRECTFET FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF9383MTRPBF International Rectifier MOSFET P-CH 30V 160A DIRECTFET ...
IRF9358TRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 9.2A DUAL 8SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
IRF9358PBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
IRF9335TRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRF9362PBF参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:21 毫欧 @ 8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.4V @ 25µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:39nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:1300pF @ 25V
功率 - 最大:2W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别