收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > IRF8852TRPBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRF8852TRPBF

International Rectifier 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 4000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH DUAL 25V 7.8A 8TSSOP
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRF8852TRPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF8910GPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 20V 10A SO-8 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
IRF8910GTRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 20V 10A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
IRF8910PBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
IRF8788TRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 16000 MOSFET N-CH 30V 24A SO-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF8788PBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 24A SO-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF8736TRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 16000 MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRF8852TRPBF参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:11.3 毫欧 @ 7.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.35V @ 25µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:9.5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:1151pF @ 20V
功率 - 最大:1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别